超薄载体铜箔(HUT系列)
该产品是公司采用18μm的载体箔作为阴极,在其上电沉积2~5μm超薄铜箔,拥有国内领先技术,具有低粗糙度、低离型力、易剥离、良好的蚀刻性,适用于细间距图形L/S=25/25或更小的图形 ,幅宽和厚度均可定制。
随着mSAP工艺的发展,载体超薄铜箔可大幅降低芯片封装基板(IC载板、类载板)、HDI板厚度和重量,满足终端电子产品轻薄化的要求。目前,主要应用于通信、计算机、移动终端、医疗、汽车电子、航空航天等领域。
该产品是公司采用18μm的载体箔作为阴极,在其上电沉积2~5μm超薄铜箔,拥有国内领先技术,具有低粗糙度、低离型力、易剥离、良好的蚀刻性,适用于细间距图形L/S=25/25或更小的图形 ,幅宽和厚度均可定制。
随着mSAP工艺的发展,载体超薄铜箔可大幅降低芯片封装基板(IC载板、类载板)、HDI板厚度和重量,满足终端电子产品轻薄化的要求。目前,主要应用于通信、计算机、移动终端、医疗、汽车电子、航空航天等领域。